Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии
Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01
Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами
Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination Настоящий стандарт устанавливает метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в четыреххлористом кремнии ректификационно очищенном и в смесях четыреххлористого кремния с трихлорсиланом